可控硅标识

    1)单向可控硅的内部结构

    单向可控硅内部由半导体材料构成，管芯是一个圆形薄片，它是四层(P、N、P、N)三端(A、K、G)器件（图10-36），它决定可控硅的性能。

    图中A代表可控硅的阳极，G代表栅极（也叫控制极），K代表阴极。

 

    图10-36    可控硅结构及符号

   2)可控硅的封装型式

    图10-37为常见的小功率可控硅封装型式。

 

    图10-37    小功率可控硅封装型式

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