您现在的位置是:首页 > 变频技术 > 变频技术

IGCT应用的功耗和频率

来源:艾特贸易网 www.aitmy.com2018-06-26

简介任何半导体器件总的损耗都由其可行的冷却方式决定,总损耗包括开关损耗和通态损耗。通态损耗越低,留给开关损耗的“余量”就越大。 在无吸收的晶体管电路中,最高工作频率受开

    任何半导体器件总的损耗都由其可行的冷却方式决定,总损耗包括开关损耗和通态损耗。通态损耗越低,留给开关损耗的“余量”就越大。

    在无吸收的晶体管电路中,最高工作频率受开关损耗的限制。表1-13给出了在IA=1.2kAUD= 3kVf=500HzDuty= 50%的条件下,6kV/4kAIGCT4.5kV/1.2kAHVIGBT损耗的比较结果。从表1-13中可见,虽然IGCT有外部电路损耗,但IGCT总耗大约是HVIGBT75%。主要是它的开通损耗非常低。因此,在确定的冷却方式下,IGCT就有可能工作在较HVIGBT稍高的频率。目前,IGCT的设计电压范围在3.3~ 6kV之间,根据通常的折衷方法(电压、电流、占空比、冷却),则要求6kV的器件能工作在1kH的频率下,3.3kV的器件能工作在3kHz的频率下。

    1-13    IGCTHVIGBT的损耗比较

IGCT与HVIGBT的损耗比较

(作者稿费要求:需要高清无水印文章的读者3元每篇,请联系客服,谢谢!在线客服:艾特贸易网客服为您服务