IGCT应用的功耗和频率

    任何半导体器件总的损耗都由其可行的冷却方式决定，总损耗包括开关损耗和通态损耗。通态损耗越低，留给开关损耗的“余量”就越大。

    在无吸收的晶体管电路中，最高工作频率受开关损耗的限制。表1-13给出了在IA=1.2kA，UD= 3kV，f=500Hz，Duty= 50%的条件下，6kV/4kA的IGCT与4.5kV/1.2kA的HVIGBT损耗的比较结果。从表1-13中可见，虽然IGCT有外部电路损耗，但IGCT总耗大约是HVIGBT的75%。主要是它的开通损耗非常低。因此，在确定的冷却方式下，IGCT就有可能工作在较HVIGBT稍高的频率。目前，IGCT的设计电压范围在3.3~ 6kV之间，根据通常的折衷方法（电压、电流、占空比、冷却），则要求6kV的器件能工作在1kH的频率下，3.3kV的器件能工作在3kHz的频率下。

    表1-13    IGCT与HVIGBT的损耗比较

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