变频器中P-MOSFET的工作保护

    1)栅源过电压的保护。如果栅源间的阻抗过高，则漏极电压的突变会通过极间电容耦合到栅极而产生过高的栅源尖峰电压，此电压将击穿栅源氧化层，造成器件损坏。若耦合到栅极的电压为正，还会引起器件误导通，造成过电流。防止的方法是适当降低驱动电路的阻抗，如在栅源间并联阻尼电阻，或并联约20 V的齐纳二极管。此外，尤其要注意避免栅极开路。

   2)漏源过电压的保护。当P - MOSFET关断时，如果器件带有电感性负载，漏极电流的突变（di/dt很大）会产生比电源高得多的漏极尖峰电压，导致器件击穿。保护措施为：在电感性负载两端并联钳位二极管，在器件的漏源两端加二极管- RC钳位电路或RC缓冲电路。如图3-22所示。

    图3-22    漏源过电压保护电路

   3)过电流保护。当器件发生误导通或负载变化时，有可能使通过P - MOSFET的漏极电流超过额定漏极峰值电流IDM，出现这种情况时，应使器件迅速关断。一般采取电流互感器或其他电流检测控制电路切断器件回路。

    此外，在器件使用中，应安装散热器，提供必需的冷却条件。还应注意消除寄生晶体管和二极管的影响，例如在桥式开关电路中，P - MOSFET要并联二极管。